EL TRANSISTOR BIPOLAR IMFORME FINAL

1. 6. Compruebe teóricamente la ganancia de la configuración en Base Común, y explique los inconvenientes acontecidos

1.1. Simulación correspondiente de la configuración Base Común.

2. 7. Explique la configuración Colector Común, los valores esperados y las aplicaciones de ella. Segura Castro Leonardo Miguel

2.1. Para todos los propósitos prácticos las características de la salida para la configuración de colector común son las mismas para la configuración de emisor común. La configuración colector común se emplea fundamentalmente para propósitos de acoplamiento de impedancia debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una alta impedancia de salida, que lo contrario a las configuraciones de base común y de emisor común.

2.1.1. Los transistores de colector común serán:

2.1.2. Para cada transistor existe una región sobre las características, la cual asegurara que los valores nominales máximos no sean excedidos: 7.5uA ≤ I_C ≤ 200mA 0.3 v ≤V CE ≤ 30 v V_CE I_C ≤ 650mW

3. 8. Observaciones y conclusiones. Segura Castro Leonardo Miguel

3.1. • Observamos que la región de corte el calor de la corriente del colector es muy pequeña, debido a la polarización inversa de las uniones del transistor; así mismo es de notar que en la región de saturación la polarización es directa, mientras en la región activa es directa debido a la unión emisor – base y a la polarización inversa en el colector. • Podemos decir que los capacitores como es el caso de Ce son fundamentales en el análisis del circuito ya sea en AC o en DC, pues en el análisis en AC este se comporta como un corto circuito, mientras que en DC este lo hace como un circuito abierto. • Esto condensadores modelan al circuito para los casos de ganancia, ya sea en el análisis en AC o en DC, como se pudo notar al retira los condensadores en el experimento. • Finalmente podemos hacer notar que para los efectos de la distorsión , se utilizó un voltaje de entrada medido antes que se produzca esta, ósea es un valor aproximado que se midió con un pequeño margen de error.

4. 1. Presente las mediciones efectuadas en cada circuito, dibujando en una hoja completa, con el diseño original.

4.1. Hoja de Datos (archivo adjunto)

5. 2. Dibuje las rectas de carga a partir de la tabla llenada en una sola hoja, para poder hacer comparaciones Mota Baltazar, Jhan Jeremy

5.1. Gráfico (archivo adjuntado)

6. 3.Explique los puntos Q obtenidos y las variaciones de recta de cargaDC Yurivilca Poma, Jhairo Pherseo

6.1. Mediante la simulación se obtuvo lo siguiente Circuito original Vce= 5.32V Ic= 3.04mA (Q1) Cambiando R2 Para R2 = 56k Vce= 0.21V Ic= 5.35mA (Q2) Para R2 = 3.3k Vce=11.7V Ic= 209uA (Q3) Cambiando Rc Para Rc = 3.3k Vce=0.13V Ic=2.76mA (Q4) Para R = 0 Vce=8.94V Ic= 3.55mA (Q5) De lo cual podemos notar que el Q1 se encontrará casi al punto medio de la recta de carga, por lo que se sitúa entre la región de saturación y región de corte. En condiciones de máxima excursión simétrica. Para el punto Q2, Q4 y Q5, se encuentra en región de saturación Para Q3 se encuentra situado en la región de corte